Le revêtement par évaporation sous vide consiste à utiliser un chauffage par résistance ou un faisceau d'électrons et un bombardement laser pour chauffer le matériau à évaporer à une certaine température dans un environnement avec un degré de vide d'au moins 10-2 Pa, de sorte que l'énergie de vibration thermique de les molécules ou les atomes du matériau dépassent la surface. L'énergie de liaison provoque l'évaporation ou la sublimation d'un grand nombre de molécules ou d'atomes et leur dépôt direct sur le substrat pour former un film mince.
La méthode la plus couramment utilisée pour le revêtement par évaporation sous vide est le chauffage par résistance, qui présente les avantages d'une structure simple de la source de chauffage, d'un faible coût et d'un fonctionnement pratique. L'inconvénient est qu'il ne convient pas aux métaux réfractaires et aux matériaux diélectriques résistants aux hautes températures.
Le revêtement par pulvérisation ionique utilise le mouvement à grande vitesse des ions positifs générés par une décharge gazeuse pour bombarder la cible en tant que cathode sous l'action d'un champ électrique, provoquant l'échappement et la précipitation des atomes ou des molécules de la cible sur la surface de la pièce plaquée. pour former le film requis. .
La technologie de pulvérisation cathodique est différente de la technologie d’évaporation sous vide. La « pulvérisation » fait référence au phénomène dans lequel des particules chargées bombardent une surface solide (cible), provoquant l'éjection d'atomes ou de molécules solides de la surface. La plupart des particules éjectées sont à l’état atomique, souvent appelées atomes pulvérisés. Les particules de pulvérisation utilisées pour bombarder la cible peuvent être des électrons, des ions ou des particules neutres. Étant donné que les ions sont faciles à accélérer pour obtenir l’énergie cinétique requise sous un champ électrique, les ions sont principalement utilisés comme particules de bombardement. Les ions pulvérisés proviennent tous d’une décharge gazeuse.
Différentes technologies de pulvérisation utilisent différentes méthodes de décharge. La pulvérisation par diode CC utilise une décharge CC ; la pulvérisation tripolaire utilise une décharge supportée par une cathode chaude ; la pulvérisation par radiofréquence utilise une décharge par radiofréquence ; la pulvérisation magnétron utilise une décharge contrôlée par un champ magnétique annulaire.
Le revêtement par pulvérisation cathodique présente de nombreux avantages par rapport au revêtement par évaporation sous vide. Par exemple, n'importe quelle substance peut être pulvérisée, en particulier les éléments et composés à point de fusion élevé et à faible pression de vapeur. L'adhésion entre le film pulvérisé et le substrat est bonne ; la densité du film est élevée ; l'épaisseur du film peut être contrôlée et la répétabilité est bonne, etc. L'inconvénient est que l'équipement est relativement complexe et nécessite un équipement haute tension.
Bien entendu, les avantages de la méthode de placage ionique qui combine évaporation et pulvérisation sont qu'elle présente une adhérence extrêmement forte entre le film et le substrat, qu'elle a un taux de dépôt élevé et qu'elle peut produire des films hautes performances destinés à être utilisés dans des appareils électroniques. Industrie de transformation métallurgique et de fournitures décoratives.
